半导体真空热处理部件用MHC合金
半导体真空热处理部件用MHC合金（钼铪碳合金，Molybdenum Hafnium Carbon Alloy）是以高纯钼（Mo≥98.5%）为基体，添加少量铪（Hf：1.0%–1.2%）与碳（C：0.05%–0.15%）构成的高性能钼基弥散强化合金。半导体晶圆退火、扩散、氧化及高真空热处理等前道工艺通常在1000℃以上高温及高真空环境下进行，对热场部件的纯净度、高温强度、尺寸稳定性、低蒸气压及真空放气特性提出严格要求。传统纯钼材料长期高温服役易发生再结晶，导致高温强度下降、蠕变变形及颗粒释放风险增加。MHC合金采用粉末冶金工艺，在基体内部原位形成纳米至亚微米级HfC弥散强化相，可将再结晶温度提高至1500℃以上，具有优异的高温强度保持能力、抗蠕变性能、导热性能及长期组织稳定性，可用于制造半导体真空热处理设备中的热场结构及耐高温关键部件。
1. 为什么半导体真空热处理部件要选用MHC合金？
中钨智造MHC合金具有以下特性，可满足半导体真空热处理部件对材料性能的要求：
（1）高温强度保持能力优异：在1000℃以上仍保持良好力学性能，可满足长期高温连续运行需求。
（2）低蒸气压及高纯净度：高温真空环境下挥发率低，可减少杂质释放及颗粒释放风险，有助于保持工艺洁净度。
（3）抗蠕变性能优异：HfC弥散强化相有效抑制晶界滑移和高温变形，提高热场部件尺寸稳定性。
（4）组织稳定性高：再结晶温度>1500℃，长期热循环条件下晶粒不易粗化，保证关键部件长期稳定服役。
（5）热管理性能良好：高热导率与低热膨胀系数相结合，有助于提高温场均匀性，降低热应力，提升设备运行稳定性。
2. 中钨智造MHC合金在半导体真空热处理部件中的应用
中钨智造MHC合金可应用于：（1）半导体真空热处理炉热场结构及支撑件；（2）晶圆热处理设备承载结构及定位件；（3）高温退火设备隔热结构及连接件；（4）半导体烧结设备热场结构及工装夹具；（5）真空工艺设备耐高温结构件及支撑件。
3. 中钨智造半导体真空热处理部件用MHC合金的规格
供应形态：MHC合金棒、板、片、管及定制件
尺寸：按客户需求设计定制
中钨智造深耕钼及钼合金制造领域近30年，通过优化粉末冶金成分设计、高温致密化及精密热加工工艺，实现材料组织均匀、性能稳定及尺寸精度一致。中钨智造供应MHC合金棒、板、片、管、环及定制件，适用于半导体真空热处理设备热场结构、承载结构及耐高温关键部件。
如有任何钼产品的设计、生产、需求、询价等问题，请联系制造商：中钨智造（厦门）科技有限公司
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